SK海力士启动3D堆叠DRAM研发瞄准端侧AI新技术

　　【CNMO科技消息】7月24日，据韩媒报道，SK海力士已启动3D堆叠DRAM-on-Logic技术的开发工作，并通过位于美国圣何塞的分公司招聘相关设计工程师。这也是该公司首次公开招募这一领域的专业人才。招聘信息显示，新成员将与美国客户紧密合作配资资讯内容，负责3D堆叠DRAM逻辑裸片的联合设计。

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　　据CNMO科技了解，这项技术的思路，是把DRAM直接垂直堆叠在SoC等逻辑芯片之上。它不同于目前手机中常见的PoP封装，后者只是将两个完成封装的芯片上下组合，而3D堆叠方案可以进一步缩短内存与处理器之间的连接距离，同时增加数据传输通道。带来的好处也很直接：延迟更低、功耗更小，还能节省设备内部空间。

　　对端侧AI来说，这几项优势都很重要。随着手机开始在本地运行大模型，处理器不仅需要更强算力，也需要更高的内存带宽。如果数据仍要在相对独立的处理器和内存之间频繁往返，速度和功耗都会受到影响。将DRAM直接叠在逻辑芯片上，可以让数据交换更快，也更适合对续航和体积敏感的移动设备。